Цены - IGBT транзисторные сборки и модули - 2
Фирмы-производители
AAEON Adlink Advantech Agere Systems Altech Amphenol Analog Devices APT Atmel Avago Technologies Bothhand Chenmko Crydom CT-Concept Cypress Digi Digi International Digilent Diodes EMCORE Ericsson Espressif Everlight Exicon Fairchild FCI FDI Freescale Fuji Fuji Electric Fujitsu-Siemens Genesic Semiconductor Global Specialties Grayhill Hammond Manufacturing Harris Hitachi Hittite Infineon Integrated Circuit Systems International Rectifier Intersil IXYS JDS Uniphase Keithley Lantronix Linx Technologies Littelfuse LS Research Microchip Microsemi Mitsubishi Mitsubishi Electric Molex Motorola NEC NTE Electronics NXP Omron ON Semiconductor Pacific Silicon Sensor Panasonic Parallax Phoenix Contact Power Integrations Powerex Rabbit Semiconductor Redpine Signals Renesas RF Solutions Rohm Sames Sanken Sanyo Schurter Semikron Sensata Shindengen Siemens Souriau STMicroelectronics Supertex Taiwan Semiconductor TE Connectivity Tektronix Texas Instruments Toshiba Vicor Vishay Wiznet ПрочиеНайдено: 10,093 Вывод: 21-40 (153 предложений)
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Type:IGBT Module; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:25A; Voltage, Vce Sat Max:3V; Power Dissipation:200W; Case Style:Econopack 2; Termination Type:Solder; Current, Icm Pulsed:50A; Power, Pd:2
BSM25GD120DN2 - Infineon - 4 480,98 ₽ Стандарт СИЗ BSM25GD120DN2 - Infineon - 5 626,00 ₽ Элитан BSM25GD120DN2 - Infineon - 6 295,93 ₽ T-electron BSM25GD120DN2 - Infineon - 7 187,48 ₽ ЗУМ-СМД BSM25GD120DN2 - Infineon - 9 438,25 ₽ Триема BSM25GD120DN2 - Infineon - 10 185,00 ₽ Ким BSM25GD120DN2 - Infineon Варта 
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 25A, 3-хфазный, выпрямитель, чоппер, датчик температурыFP25R12W2T4 - Infineon - 2 084,24 ₽ Стандарт СИЗ FP25R12W2T4 - Infineon - 3 221,00 ₽ Элитан FP25R12W2T4 - Infineon - от 3 557,43 ₽ Элрус FP25R12W2T4 - Infineon - 3 565,95 ₽ ЗУМ-СМД FP25R12W2T4 - Infineon - от 3 976,75 ₽ Берёзка Электронные Компоненты FP25R12W2T4 - Infineon - 4 050,55 ₽ Терраэлектроника FP25R12W2T4 - Infineon ТаймЧипс FP25R12W2T4 - Infineon Варта 
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390ВтFGH40N60SMD - Fujitsu-Siemens - 88,87 ₽ Стандарт СИЗ FGH40N60SMD - от 135,00 ₽ PL-1 FGH40N60SMD - ONS-FAIR - 183,91 ₽ Контест FGH40N60SMD - ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) - от 272,53 ₽ TMElectronics FGH40N60SMD - ONSEMICONDUCTOR - 283,39 ₽ Контест FGH40N60SMD - ON Semiconductor - 309,79 ₽ Контест 
IGBT MODULE, 2X600V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:275A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Case Style:SEMiX 2s; Termination Type:Screw; Current, Ic av:275A; Current, Icm Pulsed:4SEMIX202GB066HDS - Semikron - 2 777,07 ₽ T-electron SEMIX202GB066HDS - Semikron - от 2 820,00 ₽ ДКО Электронщик SEMIX202GB066HDS - Semikron - 3 041,31 ₽ Интерия SEMIX202GB066HDS - Semikron - 4 147,00 ₽ Ким SEMIX202GB066HDS - Semikron - 4 323,55 ₽ Триема SEMIX202GB066HDS - Semikron - 6 668,96 ₽ Терраэлектроника SEMIX202GB066HDS - Semikron LifeElectronics SEMIX202GB066HDS - Semikron Варта - Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
FD150R12RT4 - Infineon - 3 486,97 ₽ ЗУМ-СМД FD150R12RT4 - Infineon - 3 496,92 ₽ T-electron FD150R12RT4 - Infineon - 4 439,00 ₽ Элитан FD150R12RT4 - Infineon - 2 200,00 ₽ Варта FD150R12RT4 - Infineon Океан Электроники 
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No. of:3; Power, Pd:200W; Temperature, Current:25IRG4PH50UD - от 233,00 ₽ PL-1 IRG4PH50UD - Infineon - 433,13 ₽ Контест IRG4PH50UD - INFINEON (IRF) - от 486,02 ₽ TMElectronics IRG4PH50UD - International Rectifier - 522,20 ₽ Терраэлектроника IRG4PH50UD - 844,80 ₽ Контест IRG4PH50UD - International Rectifier TradeElectronics 
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field StopFGH40N60SFDTU - Fujitsu-Siemens - 79,19 ₽ Стандарт СИЗ FGH40N60SFDTU - ONS-FAIR - 178,73 ₽ Контест FGH40N60SFDTU - ONSEMICONDUCTOR - 224,35 ₽ Контест FGH40N60SFDTU - ON Semiconductor - 241,92 ₽ Контест FGH40N60SFDTU - ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) - от 248,91 ₽ TMElectronics 
CM300DY-12NF, IGBT модуль 2 IGBT 600В 300A 5 покол. (NF серия)CM300DY-12NF - Mitsubishi - 5 758,20 ₽ ЗУМ-СМД CM300DY-12NF - Mitsubishi - 6 122,44 ₽ Интерия CM300DY-12NF - Mitsubishi Electric - от 6 290,00 ₽ Терраэлектроника CM300DY-12NF - Mitsubishi - от 6 314,00 ₽ Элрус CM300DY-12NF - Mitsubishi - 8 237,46 ₽ Контест CM300DY-12NF - Powerex Океан Электроники 
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 463 Вт ФилиппиныVS-40MT120UHAPBF - Vishay - 1 326,34 ₽ Стандарт СИЗ VS-40MT120UHAPBF - Vishay - от 3 234,87 ₽ Элрус VS-40MT120UHAPBF - Vishay - 3 364,85 ₽ ЗУМ-СМД VS-40MT120UHAPBF - Vishay - от 3 611,58 ₽ Берёзка Электронные Компоненты VS-40MT120UHAPBF - Vishay LifeElectronics VS-40MT120UHAPBF - Vishay T-electron 
CM300DY-24NF, 2 IGBT 1200V 300A 5-gen (NF-Series)CM300DY-24NF - Mitsubishi - 15 003,35 ₽ Интерия CM300DY-24NF - Mitsubishi Electric - от 15 920,00 ₽ Терраэлектроника CM300DY-24NF - Mitsubishi - 16 061,85 ₽ Элрус CM300DY-24NF - Mitsubishi - 16 478,99 ₽ ЗУМ-СМД CM300DY-24NF - Mitsubishi - 20 186,29 ₽ Контест CM300DY-24NF - Powerex ЭлектроПласт 
IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/60А/463W/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нсHGTG30N60A4 - Fujitsu-Siemens - 126,25 ₽ Стандарт СИЗ HGTG30N60A4 - ON Semiconductor - 260,35 ₽ Контест HGTG30N60A4 - ONS-FAIR - 336,80 ₽ Контест HGTG30N60A4 - ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) - от 493,89 ₽ TMElectronics HGTG30N60A4 - 432,00 ₽ Варта 
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 208Вт; TO247HGTG30N60B3D - Fairchild - 98,21 ₽ Контест HGTG30N60B3D - ON Semiconductor - 284,21 ₽ Контест HGTG30N60B3D - ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) - от 391,57 ₽ TMElectronics HGTG30N60B3D - ONS-FAIR - 406,98 ₽ Контест 
IGBT 600V,60A Field Stop IGBT_с диодом_with diodeFGH60N60SMD - Fujitsu-Siemens - 128,92 ₽ Стандарт СИЗ FGH60N60SMD - от 182,00 ₽ PL-1 FGH60N60SMD - ONS-FAIR - 194,94 ₽ Контест FGH60N60SMD - ON Semiconductor - 384,38 ₽ Контест FGH60N60SMD - ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) - от 441,75 ₽ TMElectronics 
CM400DY-12NF, IGBT модуль 2 IGBT 600В 400A 5 покол. (NF серия)CM400DY-12NF - Mitsubishi - 6 010,09 ₽ Стандарт СИЗ CM400DY-12NF - Mitsubishi - от 8 620,51 ₽ Элрус CM400DY-12NF - Powerex - 9 972,00 ₽ Элитан CM400DY-12NF - Mitsubishi - 11 285,04 ₽ Контест CM400DY-12NF - Powerex - 19 120,42 ₽ T-electron CM400DY-12NF - Powerex ДКО Электронщик CM400DY-12NF - Powerex МосЧип 
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AFF900R12IE4 - Infineon - 38 105,03 ₽ T-electron FF900R12IE4 - Infineon - 51 196,60 ₽ TMElectronics FF900R12IE4 - Infineon - 62 101,75 ₽ Терраэлектроника FF900R12IE4 - Infineon - 87 672,00 ₽ Элитан FF900R12IE4 - Infineon TradeElectronics FF900R12IE4 - Infineon Элрус 
Высокоскоростной igbt-транзистор на 1300В, 25А, 180Вт, низкое напряжение насыщенияSTGW38IH130D - от 76,00 ₽ PL-1 STGW38IH130D - STMicroelectronics - от 150,90 ₽ Элрус STGW38IH130D - STMicroelectronics - 151,94 ₽ ЗУМ-СМД STGW38IH130D - STMicroelectronics - 187,41 ₽ Терраэлектроника STGW38IH130D - STMicroelectronics - 225,02 ₽ Контест STGW38IH130D - STMicroelectronics Океан Электроники 
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:204A; Pins, No. of:3; Power, Pd:200W; Temperature, Current:25IRG4PF50W - INFINEON (IRF) - от 352,22 ₽ TMElectronics IRG4PF50W - Infineon - 360,53 ₽ Контест IRG4PF50W - International Rectifier - 383,09 ₽ Терраэлектроника IRG4PF50W - International Rectifier - 396,72 ₽ Контест IRG4PF50W - International Rectifier ЭлектроПласт - Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FF900R12IP4 - Infineon - 15 000,00 ₽ Ким FF900R12IP4 - Infineon - 22 661,80 ₽ T-electron FF900R12IP4 - Infineon - 24 990,52 ₽ Варта FF900R12IP4 - Infineon - 46 128,00 ₽ Элитан FF900R12IP4 - Infineon ЗУМ-СМД FF900R12IP4 - Infineon МосЧип 
IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мксSTGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - 67,17 ₽ Стандарт СИЗ STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - от 88,50 ₽ Терраэлектроника STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - от 97,83 ₽ Элрус STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - 114,32 ₽ ЗУМ-СМД STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - 116,17 ₽ Контест STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics TradeElectronics 
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290ВтFGH40N60UFDTU - Fujitsu-Siemens - 79,53 ₽ Стандарт СИЗ FGH40N60UFDTU - ONS-FAIR - 177,90 ₽ Контест FGH40N60UFDTU - ON Semiconductor - 268,19 ₽ Контест FGH40N60UFDTU - ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) - от 286,30 ₽ TMElectronics FGH40N60UFDTU - 260,00 ₽ Варта
Курсы валют ЦБ РФ 29.02.2020
| USD | 66.9909 |
| EUR | 73.7235 |
Срезы
