Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Биполярные транзисторные сборки и модули
Найдено: 25,270   Вывод: 1 - 20 (416 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.ON Semiconductor BC847BDW1T1GBC847BDW1T1G
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):200V; DC Current Gain Min (hfe):200; Package/Case:SOT-363; C-E Breakdown Voltage:45V; Collector Current:0.1A; Frequency Min:0.38MHz
  
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
0.85Стандарт СИЗ
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.02ЗУМ-ЭК
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.08Элитан
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.12T-electron
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.12T-electron
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.19
2.22
Промэлектроника
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.28
1.37
1.86
Спецэлсервис
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.32ЗУМ-ЭК
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.36
1.47
1.63
1.88
Элрус
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.38
1.48
1.58
Спецэлсервис
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.48
1.56
2.13
Спецэлсервис
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.70
2.00
Терраэлектроника
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.54Интерия
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.57
1.62
2.00
ICdarom
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.81Контест
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.85ЗУМ-ЭК
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
1.99Стандарт СИЗ
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
2.78ЗУМ-ЭК
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC847BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
2.ON Semiconductor MC1413BDR2GMC1413BDR2G
SOIC 16/I°/HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS, Green: compliant
  
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
5.90Стандарт СИЗ
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
8.21T-electron
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
8.21T-electron
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
8.21T-electron
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
8.64ЗУМ-ЭК
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.05
10.54
Промэлектроника
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.17ЗУМ-ЭК
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.85Элитан
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
9.88
10.69
11.86
13.63
Элрус
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
10.05
10.82
11.51
Спецэлсервис
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
11.20
12.50
14.60
Терраэлектроника
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
11.94Интерия
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
12.10
12.74
17.46
Спецэлсервис
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
12.47
13.30
18.14
Спецэлсервис
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
12.50
13.90
16.30
ДКО Электронщик
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
13.13Контест
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
13.13Контест
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
25.00Ким
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросLifeElectronics
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BDR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
3.ON Semiconductor MC1413BDGMC1413BDG
TRANSISTOR ARRAY; Transistor Polarity:NPN Darlington; Transistors, No. of:7; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Termination Type:SMD; Case Style:16-SOIC; Pins, No. of:16; Temperature, Operating Range:-40°C to +85°C
  
 MC1413BDG
ON Semiconductor
6.65Стандарт СИЗ
 MC1413BDG
ON Semiconductor
10.48
19.05
Промэлектроника
 MC1413BDG
ON Semiconductor
10.94T-electron
 MC1413BDG
ON Semiconductor
10.94T-electron
 MC1413BDG
ON Semiconductor
10.98ЗУМ-ЭК
 MC1413BDG
ON Semiconductor
11.70ЗУМ-ЭК
 MC1413BDG
ON Semiconductor
13.70
15.20
17.70
ДКО Электронщик
 MC1413BDG
ON Semiconductor
13.90Элитан
 MC1413BDG
ON Semiconductor
14.43
15.61
17.30
19.89
Элрус
 MC1413BDG
ON Semiconductor
15.01
16.15
17.19
Спецэлсервис
 MC1413BDG
ON Semiconductor
15.24
15.72
19.00
ICdarom
 MC1413BDG
ON Semiconductor
15.96
16.81
23.03
Спецэлсервис
 MC1413BDG
ON Semiconductor
16.40
18.20
21.20
Терраэлектроника
 MC1413BDG
ON Semiconductor
17.10Интерия
 MC1413BDG
ON Semiconductor
19.18Контест
 MC1413BDG
ON Semiconductor
19.18Контест
 MC1413BDG
ON Semiconductor
19.45ЗУМ-ЭК
 MC1413BDG
ON Semiconductor
33.00Ким
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413BDG
ON Semiconductor
запросЭФО
4.STMicroelectronics ULN2003AULN2003A
Периферийный драйвер - [DIP-16]; Выходов: 7; Iout.max: 600 мА; Uout.max: 30 В; Примечание: Seven Darlington Arrays
  
 ULN2003A
STMicroelectronics
6.54Стандарт СИЗ
 ULN2003A
STMicroelectronics
6.82Стандарт СИЗ
 ULN2003A
STMicroelectronics
7.73ЗУМ-ЭК
 ULN2003A
STMicroelectronics
7.91ЗУМ-ЭК
 ULN2003A
STMicroelectronics
8.48ЗУМ-ЭК
 ULN2003A
STMicroelectronics
9.39T-electron
 ULN2003A
STMicroelectronics
9.55Элитан
 ULN2003A
STMicroelectronics
10.53
11.39
12.62
14.51
Элрус
 ULN2003A
STMicroelectronics
11.05
11.89
12.66
Спецэлсервис
 ULN2003A
STMicroelectronics
11.95
12.58
17.24
Спецэлсервис
 ULN2003A
STMicroelectronics
12.00
13.30
15.50
Терраэлектроника
 ULN2003A
STMicroelectronics
12.04ЗУМ-ЭК
 ULN2003A
STMicroelectronics
12.19
12.53
15.00
ICdarom
 ULN2003A
STMicroelectronics
13.99Контест
 ULN2003A
STMicroelectronics
13.99Контест
 ULN2003A
STMicroelectronics
25.00Ким
 ULN2003A
STMicroelectronics
запросЭлектроПласт
 ULN2003A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2003A
Allegro
запросT-electron
 ULN2003A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2003A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2003A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2003A
STMicroelectronics
запросКремний
5.ON Semiconductor MC1413DR2GMC1413DR2G
Transistor Array IC; No. of Transistors:7; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:1.1V; Continuous Collector Current, Ic:500mA; Package/Case:16-SOIC; No. of Pins:16; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:85°C
  
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
7.51Стандарт СИЗ
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
8.74T-electron
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
8.74T-electron
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
10.52
21.04
Промэлектроника
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
10.53ЗУМ-ЭК
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
10.68Стандарт СИЗ
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
11.20Элитан
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
12.90
14.40
16.80
Терраэлектроника
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
13.20ЗУМ-ЭК
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
35.00Ким
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросЭлрус
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MC1413DR2G
ON Semiconductor
запросКремний
6.ON Semiconductor ULN2003ADR2GULN2003ADR2G
Тип корпуса: SO16-150 Производитель: ON Semiconductor Corporation Массив транзисторов Дарлингтона, высоковольтный, для больших токов..
  
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
5.15Стандарт СИЗ
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
7.54ЗУМ-ЭК
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
8.22T-electron
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
8.22T-electron
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
8.63ЗУМ-ЭК
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
8.68
15.78
Промэлектроника
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
9.11ЗУМ-ЭК
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
10.80Элитан
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
11.11
11.61
14.00
ICdarom
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
11.48
12.41
13.75
15.81
Элрус
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
12.16
12.80
17.53
Спецэлсервис
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
12.92Интерия
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
13.00
14.50
16.90
Терраэлектроника
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
13.41
14.43
15.36
Спецэлсервис
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
15.23Контест
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
15.23Контест
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
16.27
17.35
23.66
Спецэлсервис
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
20.00Ким
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросКремний
 ULN2003ADR2G
ON Semiconductor
запросЭФО
7.STMicroelectronics ULN2804AULN2804A
DARLINGTON ARRAY 8NPN 2804 DIP18 Transistor Polarity NPN Transistors No of 8 Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 50V Current Ic Continuous a Max 500mA Termination Type Through Hole Case Style DIP No of Pins 18 Operating Temperature
  
 ULN2804A
STMicroelectronics
14.60Стандарт СИЗ
 ULN2804A
STMicroelectronics
17.59ЗУМ-ЭК
 ULN2804A
STMicroelectronics
17.60Элитан
 ULN2804A
STMicroelectronics
20.43T-electron
 ULN2804A
STMicroelectronics
21.74ЗУМ-ЭК
 ULN2804A
STMicroelectronics
24.10
26.80
31.20
ДКО Электронщик
 ULN2804A
STMicroelectronics
24.53
26.52
29.41
33.79
Элрус
 ULN2804A
STMicroelectronics
27.19
28.62
39.24
Спецэлсервис
 ULN2804A
STMicroelectronics
27.60
28.49
34.00
ICdarom
 ULN2804A
STMicroelectronics
27.78ЗУМ-ЭК
 ULN2804A
STMicroelectronics
27.90
31.00
36.10
Терраэлектроника
 ULN2804A
STMicroelectronics
28.11
30.26
32.21
Спецэлсервис
 ULN2804A
STMicroelectronics
37.74Контест
 ULN2804A
STMicroelectronics
37.74Контест
 ULN2804A
STMicroelectronics
45.00Ким
 ULN2804A
STMicroelectronics
запросМосЧип
 ULN2804A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2804A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2804A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2804A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2804A
STMicroelectronics
запросКремний
8.STMicroelectronics ULN2004AULN2004A
Периферийный драйвер - [DIP-16]; Примечание: 7 CHANNEL DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
  
 ULN2004A
STMicroelectronics
6.23Стандарт СИЗ
 ULN2004A
STMicroelectronics
6.70ЗУМ-ЭК
 ULN2004A
STMicroelectronics
6.92Стандарт СИЗ
 ULN2004A
STMicroelectronics
8.55ЗУМ-ЭК
 ULN2004A
STMicroelectronics
9.67T-electron
 ULN2004A
STMicroelectronics
10.30Элитан
 ULN2004A
STMicroelectronics
12.04ЗУМ-ЭК
 ULN2004A
STMicroelectronics
12.40
13.80
16.10
Терраэлектроника
 ULN2004A
STMicroelectronics
16.53Контест
 ULN2004A
STMicroelectronics
16.53Контест
 ULN2004A
STMicroelectronics
35.00Ким
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросЭлрус
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросТаймЧипс
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросДКО Электронщик
 ULN2004A
Allegro
запросКонтест
 ULN2004A
Allegro
запросКонтест
 ULN2004A
Allegro
запросT-electron
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2004A
STMicroelectronics
запросЭФО
9.ON Semiconductor MUN5311DW1T1GMUN5311DW1T1G
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN & PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:10000ohm; Base-Emitter Resistor, R2:10000ohm
  
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
0.91Стандарт СИЗ
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.11ЗУМ-ЭК
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.20ЗУМ-ЭК
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.29T-electron
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.29T-electron
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.31Элитан
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.36
3.09
Промэлектроника
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.51
1.63
1.73
Спецэлсервис
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.56
1.69
1.88
2.15
Элрус
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.60
1.80
2.10
ДКО Электронщик
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.71
1.79
2.46
Спецэлсервис
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.72
1.80
3.00
ICdarom
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.80
2.00
2.30
Терраэлектроника
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
1.97Интерия
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
3.46Контест
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
10.00Ким
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
10.STMicroelectronics ULN2803AULN2803A
Периферийный драйвер - [DIP-18]; Выходов: 8; Uout.max: 30 В; Примечание: Eight Darlington Arrays
  
 ULN2803A
STMicroelectronics
13.09Стандарт СИЗ
 ULN2803A
STMicroelectronics
13.41Стандарт СИЗ
 ULN2803A
STMicroelectronics
15.87ЗУМ-ЭК
 ULN2803A
STMicroelectronics
19.26T-electron
 ULN2803A
STMicroelectronics
19.68ЗУМ-ЭК
 ULN2803A
STMicroelectronics
22.70
25.20
29.40
ДКО Электронщик
 ULN2803A
STMicroelectronics
23.17
25.05
27.78
31.93
Элрус
 ULN2803A
STMicroelectronics
23.20
24.97
26.58
Спецэлсервис
 ULN2803A
STMicroelectronics
23.26
24.48
33.55
Спецэлсервис
 ULN2803A
STMicroelectronics
24.84
25.55
31.00
ICdarom
 ULN2803A
STMicroelectronics
25.93ЗУМ-ЭК
 ULN2803A
STMicroelectronics
26.30
29.20
34.10
Терраэлектроника
 ULN2803A
STMicroelectronics
30.77Контест
 ULN2803A
STMicroelectronics
30.77Контест
 ULN2803A
STMicroelectronics
44.00Ким
 ULN2803A
STMicroelectronics
запросTradeElectronics
 ULN2803A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2803A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2803A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2803A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2803A
STMicroelectronics
запросКремний
11.ON Semiconductor MC1413DGMC1413DG
SOIC 16/I°/HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS, Green: compliant
  
 MC1413DG
ON Semiconductor
9.71Стандарт СИЗ
 MC1413DG
ON Semiconductor
12.19
18.85
Промэлектроника
 MC1413DG
ON Semiconductor
12.60Элитан
 MC1413DG
ON Semiconductor
13.04
14.04
14.95
Спецэлсервис
 MC1413DG
ON Semiconductor
14.94ЗУМ-ЭК
 MC1413DG
ON Semiconductor
15.50
17.30
20.10
Терраэлектроника
 MC1413DG
ON Semiconductor
15.74ЗУМ-ЭК
 MC1413DG
ON Semiconductor
18.24
19.45
26.52
Спецэлсервис
 MC1413DG
ON Semiconductor
27.52Контест
 MC1413DG
ON Semiconductor
27.52Контест
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭлрус
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросКремний
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросПромэлектроника
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MC1413DG
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
12.STMicroelectronics ULN2001AULN2001A
Периферийный драйвер - [DIP-16]; Выходов: 7; Iout.max: 600 мА; Примечание: Seven Darlington Arrays
  
 ULN2001A
STMicroelectronics
7.79Стандарт СИЗ
 ULN2001A
STMicroelectronics
8.58Стандарт СИЗ
 ULN2001A
STMicroelectronics
8.66ЗУМ-ЭК
 ULN2001A
STMicroelectronics
9.82T-electron
 ULN2001A
STMicroelectronics
10.90ЗУМ-ЭК
 ULN2001A
STMicroelectronics
11.50
12.80
14.90
ДКО Электронщик
 ULN2001A
STMicroelectronics
12.55
13.51
14.38
Спецэлсервис
 ULN2001A
STMicroelectronics
12.69
13.37
18.32
Спецэлсервис
 ULN2001A
STMicroelectronics
12.70Элитан
 ULN2001A
STMicroelectronics
12.77
13.14
16.00
ICdarom
 ULN2001A
STMicroelectronics
12.97
14.03
15.55
17.87
Элрус
 ULN2001A
STMicroelectronics
14.70
16.40
19.10
Терраэлектроника
 ULN2001A
STMicroelectronics
17.24Контест
 ULN2001A
STMicroelectronics
17.24Контест
 ULN2001A
STMicroelectronics
31.00Ким
 ULN2001A
STMicroelectronics
запросОкеан Электроники
 ULN2001A
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2001A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2001A
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2001A
STMicroelectronics
запросЭФО
13.STMicroelectronics ULN2003D1013TRULN2003D1013TR
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, SO-16, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C).
  
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
5.26Стандарт СИЗ
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
5.42Стандарт СИЗ
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
5.67ЗУМ-ЭК
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
6.76ЗУМ-ЭК
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
7.07ЗУМ-ЭК
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
7.45T-electron
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
7.45T-electron
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
7.91
8.51
9.06
Спецэлсервис
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
8.18
8.83
9.80
11.27
Элрус
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
8.34ЗУМ-ЭК
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
8.75ЗУМ-ЭК
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
9.21
9.70
13.30
Спецэлсервис
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
9.30
10.30
12.00
Терраэлектроника
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
10.86Контест
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
10.86Контест
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
20.00Ким
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
запросTradeElectronics
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2003D1013TR
STMicroelectronics
запросЭФО
14.BC846BDW1T1G
Тип корпуса: SOT323-6 Производитель: ON Semiconductor Corporation Биполярный транзистор.
  
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
0.75Стандарт СИЗ
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.01ЗУМ-ЭК
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.03ЗУМ-ЭК
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.14T-electron
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.14T-electron
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.17
1.26
1.41
1.62
Элрус
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.21Элитан
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.30
1.50
1.70
Терраэлектроника
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.30
1.50
1.70
ДКО Электронщик
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.37
1.45
1.99
Спецэлсервис
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.38
3.14
Промэлектроника
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.44Интерия
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
1.49
1.56
2.00
ICdarom
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросОкеан Электроники
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
 BC846BDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
15.ON Semiconductor MUN5335DW1T1GMUN5335DW1T1G
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V NPN & PNP SC70-6/SMALL SIGNAL BIAS RESISTOR TRANSISTOR COMPLIMENTARY NPN & PNP 50V
  
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.13Стандарт СИЗ
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.14ЗУМ-ЭК
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.25T-electron
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.25T-electron
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.32ЗУМ-ЭК
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.41
3.21
Промэлектроника
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.58
2.17
Спецэлсервис
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.60
1.90
ДКО Электронщик
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.55
1.68
1.87
2.14
Элрус
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.58Интерия
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.58Элитан
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.67
1.75
3.00
ICdarom
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
1.80
2.00
2.30
Терраэлектроника
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
2.07Контест
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
16.STMicroelectronics ULN2064BULN2064B
DARLINGTON ARRAY 4NPN 2064 DIP16 Transistor Polarity NPN Transistors No of 4 Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 50V Current Ic Continuous a Max 1.75A Termination Type Through Hole Case Style DIP No of Pins 16 Operating Temperature
  
 ULN2064B
STMicroelectronics
63.41Стандарт СИЗ
 ULN2064B
STMicroelectronics
88.54ЗУМ-ЭК
 ULN2064B
STMicroelectronics
97.71T-electron
 ULN2064B
STMicroelectronics
101.88ЗУМ-ЭК
 ULN2064B
STMicroelectronics
103.00Элитан
 ULN2064B
STMicroelectronics
105.83
113.92
121.27
Спецэлсервис
 ULN2064B
STMicroelectronics
106.17
114.81
127.28
146.31
Элрус
 ULN2064B
STMicroelectronics
121.00
134.00
156.00
Терраэлектроника
 ULN2064B
STMicroelectronics
127.67
134.39
184.18
Спецэлсервис
 ULN2064B
STMicroelectronics
191.00Ким
 ULN2064B
STMicroelectronics
369.81Контест
 ULN2064B
STMicroelectronics
369.81Контест
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросLifeElectronics
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросЭФО
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросДКО Электронщик
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросСтандарт СИЗ
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросКремний
 ULN2064B
STMicroelectronics
запросКремний
17.Toshiba ULN2003AFWGULN2003AFWG
DARLINGTON ARRAY 7NPN, SMD, 2003; Transistor Polarity:NPN; Transistors, No. of:7; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Termination Type:SMD; Case Style:SOIC; Pins, No. of:16; Temperature, Operating Range:-40°C to +85°C; Temp, Op. Ma
  
 ULN2003AFWG
Toshiba
6.22ЗУМ-ЭК
 ULN2003AFWG
Toshiba
6.60Стандарт СИЗ
 ULN2003AFWG
Toshiba
6.97Стандарт СИЗ
 ULN2003AFWG
Toshiba
6.97Элитан
 ULN2003AFWG
Toshiba
7.39
13.43
Промэлектроника
 ULN2003AFWG
Toshiba
7.97ЗУМ-ЭК
 ULN2003AFWG
Toshiba
8.07ЗУМ-ЭК
 ULN2003AFWG
Toshiba
8.27Стандарт СИЗ
 ULN2003AFWG
Toshiba
9.31T-electron
 ULN2003AFWG
Toshiba
9.80
10.60
11.75
13.50
Элрус
 ULN2003AFWG
Toshiba
10.80
11.90
13.90
ДКО Электронщик
 ULN2003AFWG
Toshiba
10.93
11.50
15.77
Спецэлсервис
 ULN2003AFWG
Toshiba
11.10
12.40
14.40
Терраэлектроника
 ULN2003AFWG
Toshiba
11.11ЗУМ-ЭК
 ULN2003AFWG
Toshiba
11.64
11.98
15.00
ICdarom
 ULN2003AFWG
Toshiba
12.53Интерия
 ULN2003AFWG
Toshiba
13.02Контест
 ULN2003AFWG
Toshiba
13.02Контест
 ULN2003AFWG
Toshiba
25.00Ким
18.BC847CDW1T1G
Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.
  
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
0.97Стандарт СИЗ
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.06ЗУМ-ЭК
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.09ЗУМ-ЭК
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.20T-electron
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.20T-electron
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.29Элитан
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.32
2.99
Промэлектроника
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.37
1.49
1.64
1.89
Элрус
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.50
1.58
2.17
Спецэлсервис
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.58Интерия
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
1.60
1.70
2.00
Терраэлектроника
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
3.17Контест
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC847CDW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
19.Toshiba ULN2803APGULN2803APG
DARLINGTON ARRAY 8NPN, 2803, DIP18; Transistor Polarity:NPN; Transistors, No. of:8; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Termination Type:Through Hole; Case Style:DIP; Pins, No. of:18; Temperature, Operating Range:-40°C to +85°C; Te
  
 ULN2803APG
Toshiba
10.89Стандарт СИЗ
 ULN2803APG
Toshiba
13.90Элитан
 ULN2803APG
Toshiba
15.76ЗУМ-ЭК
 ULN2803APG
Toshiba
16.70T-electron
 ULN2803APG
Toshiba
18.30ЗУМ-ЭК
 ULN2803APG
Toshiba
19.43
30.03
Промэлектроника
 ULN2803APG
Toshiba
19.50
21.08
23.37
26.85
Элрус
 ULN2803APG
Toshiba
19.60
21.80
25.50
ДКО Электронщик
 ULN2803APG
Toshiba
21.84
22.82
27.00
ICdarom
 ULN2803APG
Toshiba
22.10
24.60
28.70
Терраэлектроника
 ULN2803APG
Toshiba
22.67
23.86
32.69
Спецэлсервис
 ULN2803APG
Toshiba
25.90Контест
 ULN2803APG
Toshiba
25.90Контест
 ULN2803APG
Toshiba
26.28Интерия
 ULN2803APG
Toshiba
26.86ЗУМ-ЭК
 ULN2803APG
Toshiba
39.00Ким
 ULN2803APG
STMicroelectronics
запросОкеан Электроники
 ULN2803APG
Toshiba
запросКремний
20.ON Semiconductor MUN5211DW1T1GMUN5211DW1T1G
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:10000ohm; Base-Emitter Resistor, R2:10000ohm
  
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
0.91Стандарт СИЗ
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.17T-electron
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.17T-electron
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.21ЗУМ-ЭК
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.31
2.98
Промэлектроника
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.48Элитан
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.52
1.64
1.82
2.09
Элрус
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.70
1.90
2.20
Терраэлектроника
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.72ЗУМ-ЭК
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.76
1.86
2.55
Спецэлсервис
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
1.86Интерия
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
2.02Контест
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
10.00Ким
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
запросКремний
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 17.07.2018:
USD62.2556
EUR72.7955
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Тепловизор Fluke TiX580
Тепловизор Fluke TiX580
Диапазон измеряемых температур: от 20 до +800 °C
Цена: от 1 458 000 руб.
Доставка: Россия
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru