Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)
Найдено: 4,431   Вывод: 1 - 20 (265 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.ON Semiconductor MMBF4391LT1GMMBF4391LT1G
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation .
  
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
3.52ЗУМ-ЭК
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
3.53ЗУМ-ЭК
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
3.96Элитан
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
4.01
7.30
Промэлектроника
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
4.22
4.48
4.88
5.47
6.30
Элрус
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
4.41
4.72
5.20
5.97
6.90
Элрус
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
4.51
4.77
ICdarom
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
4.80
5.30
6.10
Терраэлектроника
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
4.91Интерия
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
8.98Контест
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
8.98Контест
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
11.00Ким
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
запросTradeElectronics
 MMBF4391LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
2.ON Semiconductor MMBFJ177LT1GMMBFJ177LT1G
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation J-FET транзистор
  
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
5.92Элитан
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
6.37
6.60
ICdarom
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
9.14ЗУМ-ЭК
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
10.57
11.23
12.24
13.71
15.80
Элрус
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
11.45ЗУМ-ЭК
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
11.96
12.67
ICdarom
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
12.00
13.10
15.30
Терраэлектроника
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
12.70Интерия
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
13.05
20.17
Промэлектроника
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
13.61Контест
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
13.61Контест
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
14.18
14.91
15.97
17.61
19.47
Элрус
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
25.00Ким
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ177LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
3.ON Semiconductor MMBFJ175LT1GMMBFJ175LT1G
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation J-FET транзистор
  
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
7.65Элитан
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
8.09ЗУМ-ЭК
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
9.38
9.95
10.84
12.15
14.00
Элрус
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
10.60
11.27
ICdarom
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
10.70
11.60
13.60
Терраэлектроника
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
11.25Интерия
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
11.25ЗУМ-ЭК
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
12.06Контест
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
12.06Контест
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
12.82
19.82
Промэлектроника
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
13.94
14.66
15.70
17.32
19.16
Элрус
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
23.00Ким
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
запросТаймЧипс
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
4.ON Semiconductor MMBFJ310LT1GMMBFJ310LT1G
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation J-FET транзистор.
  
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
7.18ЗУМ-ЭК
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
8.21Элитан
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
8.74
9.28
10.11
11.33
13.06
Элрус
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
9.07
9.68
ICdarom
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
9.22ЗУМ-ЭК
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
9.98Интерия
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
10.00
10.80
12.70
ДКО Электронщик
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
10.00
10.80
12.70
Терраэлектроника
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
10.50
13.65
Промэлектроника
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
22.00Ким
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
5.ON Semiconductor J113J113
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
  
 J113
ON Semiconductor
3.79
4.42
Промэлектроника
 J113
ON Semiconductor
4.35
4.50
4.78
5.13
5.54
Элрус
 J113
ONS-FAIR -
4.90
5.40
6.30
Терраэлектроника
 J113
Fairchild
4.99Интерия
 J113
ON Semiconductor
5.44Контест
 J113
ON Semiconductor
5.44Контест
 J113
ONS-FAIR -
5.55Контест
 J113
ONS-FAIR -
5.55Контест
 J113
Fairchild
6.62ЗУМ-ЭК
 J113
Fairchild
8.94Контест
 J113
Fairchild
8.94Контест
 J113
Fairchild
11.00Ким
 J113
Fairchild
запросLifeElectronics
 J113
Fairchild
запросTradeElectronics
 J113
Fairchild
запросКремний
 J113
Fairchild
запросКремний
6.MMBFJ201
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
  
 MMBFJ201
ONS-FAIR -
3.40
3.70
4.30
Терраэлектроника
 MMBFJ201
ON Semiconductor
3.56
6.47
Промэлектроника
 MMBFJ201
Fairchild
3.66Интерия
 MMBFJ201
ONS-FAIR -
3.82Контест
 MMBFJ201
ONS-FAIR -
3.82Контест
 MMBFJ201
ON Semiconductor
3.91
4.20
4.65
5.36
6.24
Элрус
 MMBFJ201
Fairchild
4.73ЗУМ-ЭК
 MMBFJ201
Fairchild
6.23Контест
 MMBFJ201
Fairchild
6.23Контест
 MMBFJ201
ON Semiconductor
7.97Контест
 MMBFJ201
ON Semiconductor
7.97Контест
 MMBFJ201
Fairchild
8.00Ким
 MMBFJ201
Fairchild
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 MMBFJ201
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ201
Fairchild
запросКремний
7.MMBFJ177
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
  
 MMBFJ177
ON Semiconductor
6.03
10.97
Промэлектроника
 MMBFJ177
Fairchild
6.23Интерия
 MMBFJ177
ONS-FAIR -
6.50
7.10
8.20
Терраэлектроника
 MMBFJ177
ON Semiconductor
6.61
7.02
7.65
8.65
9.81
Элрус
 MMBFJ177
Fairchild
6.62ЗУМ-ЭК
 MMBFJ177
ONS-FAIR -
7.32Контест
 MMBFJ177
ONS-FAIR -
7.32Контест
 MMBFJ177
Fairchild
8.94Контест
 MMBFJ177
Fairchild
8.94Контест
 MMBFJ177
ON Semiconductor
13.50Контест
 MMBFJ177
ON Semiconductor
13.50Контест
 MMBFJ177
Fairchild
15.00Ким
 MMBFJ177
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ177
Fairchild
запросКремний
8.ON Semiconductor J112J112
TRANSISTOR, JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Transistor Polarity:N; Current, Idss Min:5mA; Current, Idss Max:5mA; Voltage, Vgs Off Max:5V; Case Style:TO-92; Termination Type:Through Hole; Current, Ig:50mA; Pin Format:m; Pins, No. of:3; Power, Ptot
  
 J112
ON Semiconductor
2.67
5.35
Промэлектроника
 J112
Fairchild
5.00Интерия
 J112
ONS-FAIR -
5.10
5.50
6.50
Терраэлектроника
 J112
ONS-FAIR -
5.71Контест
 J112
ONS-FAIR -
5.71Контест
 J112
Fairchild
6.62ЗУМ-ЭК
 J112
Fairchild
8.39Контест
 J112
Fairchild
8.39Контест
 J112
Fairchild
12.00Ким
 J112
Fairchild
запросLifeElectronics
 J112
Fairchild
запросTradeElectronics
 J112
ON Semiconductor
запросМосЧип
 J112
Fairchild
запросКремний
 J112
Fairchild
запросКремний
9.ON Semiconductor MMBFJ309LT1GMMBFJ309LT1G
TRANSISTOR, JFET, N, 25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, V(br)gss:25V; Current, Idss Min:12mA; Current, Idss Max:30mA; Voltage, Vgs Off Max:4V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Max:5pF;
  
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
5.28
5.60
ICdarom
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
8.28ЗУМ-ЭК
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
9.37Элитан
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
9.43
10.99
Промэлектроника
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
10.70
11.70
13.60
Терраэлектроника
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
10.77
11.10
11.71
12.46
13.18
Элрус
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
11.13Интерия
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
23.00Ким
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
10.ON Semiconductor MMBF4393LT1GMMBF4393LT1G
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
  
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
4.17ЗУМ-ЭК
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
4.43Элитан
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
4.74
7.91
Промэлектроника
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
5.10
5.50
6.50
Терраэлектроника
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
5.57
5.75
6.10
6.54
7.01
Элрус
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
9.71Контест
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
9.71Контест
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
14.00Ким
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
запросЭлектроПласт
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
11.NXP BF862,215BF862,215
BF862.215, Транзистор, RF JFET, N CH, 20V, 25MA, [SOT-23]
  
 BF862,215
NXP
10.46ЗУМ-ЭК
 BF862,215
NXP
11.92
18.42
Промэлектроника
 BF862,215
NXP
12.97
13.64
14.64
16.19
17.94
Элрус
 BF862,215
NXP
13.24ЗУМ-ЭК
 BF862,215
NXP
22.67Контест
 BF862,215
NXP
22.67Контест
 BF862,215
NXP
запросЗУМ-ЭК
 BF862,215
NXP
запросИнтерия
 BF862,215
NXP
запросЭФО
 BF862,215
NXP
запросЭФО
 BF862,215
NXP
запросМосЧип
12.MMBFJ310
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА
  
 MMBFJ310
Fairchild
3.39Интерия
 MMBFJ310
ONS-FAIR -
3.60
3.90
4.50
Терраэлектроника
 MMBFJ310
ON Semiconductor
3.62
3.74
3.98
4.28
4.64
Элрус
 MMBFJ310
Fairchild
5.67ЗУМ-ЭК
 MMBFJ310
Fairchild
7.59Контест
 MMBFJ310
Fairchild
7.59Контест
 MMBFJ310
Fairchild
8.00Ким
 MMBFJ310
Fairchild
запросОкеан Электроники
 MMBFJ310
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ310
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ310
Fairchild
запросКремний
13.ON Semiconductor MMBFU310LT1GMMBFU310LT1G
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
  
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
6.74Элитан
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
7.90
8.60
10.00
Терраэлектроника
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
25.92ЗУМ-ЭК
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросИнтерия
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросПромэлектроника
 MMBFU310LT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
14.MMBF4392LT1G
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
  
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
3.38ЗУМ-ЭК
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
3.85
7.00
Промэлектроника
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
3.99Элитан
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
4.23
4.52
5.01
5.75
6.66
Элрус
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
8.61Контест
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
8.61Контест
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
запросКремний
 MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
запросИнтерия
15.BSR58
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА
  
 BSR58
ON Semiconductor
3.05
3.56
Промэлектроника
 BSR58
ON Semiconductor
3.50
3.63
3.86
4.16
4.50
Элрус
 BSR58
ONS-FAIR -
3.60
3.90
4.60
Терраэлектроника
 BSR58
ON Semiconductor
4.37Контест
 BSR58
ON Semiconductor
4.37Контест
 BSR58
Fairchild
запросЭлектроПласт - Екатеринбург
 BSR58
Philips
запросКонтест
 BSR58
Fairchild
запросКремний
 BSR58
Fairchild
запросКремний
 BSR58
Philips
запросКонтест
16.ON Semiconductor MMBF5484MMBF5484
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
  
 MMBF5484
ON Semiconductor
3.13
3.36
3.75
4.37
5.15
Элрус
 MMBF5484
ONS-FAIR -
3.40
3.70
4.30
Терраэлектроника
 MMBF5484
Fairchild
3.41Интерия
 MMBF5484
Fairchild
8.00Ким
 MMBF5484
Fairchild
запросКремний
 MMBF5484
Fairchild
запросКонтест
 MMBF5484
Fairchild
запросМосЧип
 MMBF5484
Fairchild
запросКремний
 MMBF5484
Fairchild
запросКонтест
17.MMBFJ176
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
  
 MMBFJ176
Fairchild
4.73ЗУМ-ЭК
 MMBFJ176
Fairchild
6.23Контест
 MMBFJ176
Fairchild
6.23Контест
 MMBFJ176
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ176
Fairchild
запросЭлектроПласт
 MMBFJ176
Fairchild
запросКонтест
 MMBFJ176
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ176
Fairchild
запросКонтест
 MMBFJ176
ON Semiconductor
запросПромэлектроника
18.BFT46
Тип корпуса: SOT23 Производитель: NXP Semiconductors Транзистор биполятный стандартный.
  
 BFT46
NXP
10.20Элитан
 BFT46
NXP
12.10
12.92
ICdarom
 BFT46
NXP
17.10
18.60
21.70
Терраэлектроника
 BFT46
NXP
17.97Интерия
 BFT46
NXP
35.00Ким
 BFT46
Philips
запросКонтест
 BFT46
NXP
запросМосЧип
 BFT46
Philips
запросКонтест
19.ON Semiconductor MMBFJ202MMBFJ202
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
  
 MMBFJ202
ON Semiconductor
3.35
7.61
Промэлектроника
 MMBFJ202
ON Semiconductor
3.68
3.95
4.39
5.08
5.92
Элрус
 MMBFJ202
ON Semiconductor
9.35Контест
 MMBFJ202
ON Semiconductor
9.35Контест
 MMBFJ202
Fairchild
запросLifeElectronics
 MMBFJ202
Fairchild
запросКремний
 MMBFJ202
Fairchild
запросИнтерия
 MMBFJ202
Fairchild
запросКремний
20.MMBF5103
Корпус:SOT-23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
  
 MMBF5103
ON Semiconductor
3.67
4.28
Промэлектроника
 MMBF5103
ON Semiconductor
3.67
4.28
Промэлектроника
 MMBF5103
ON Semiconductor
4.21
4.36
4.63
4.98
5.38
Элрус
 MMBF5103
ON Semiconductor
5.26Контест
 MMBF5103
ON Semiconductor
5.26Контест
 MMBF5103
Fairchild
запросТаймЧипс
 MMBF5103
Fairchild
запросКонтест
 MMBF5103
Fairchild
запросКонтест
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 17.02.2018:
USD56.3554
EUR70.6471
Срезы ↓
Ультразвуковой датчик расстояния HC-SR04
Ультразвуковой датчик расстояния HC-SR04
Для проектов на Arduino и др.
Не зависит от освещенности и цвета объекта.
Цена: от 40 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru