Datasheet 1N645 - NTE Electronics Даташит Мощность выпрямитель S — Даташит
Наименование модели: 1N645
![]() 29 предложений от 21 поставщиков Rectifier Diode Switching 225V 0.4A 2-Pin DO-35 Bag / SILICON RECTIFIER | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | |||
1N645 | от 78 ₽ | ||
1N645-M Microsemi | по запросу | ||
1N645UR-1 | по запросу | ||
JAN1N645 Texas Instruments | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Мощность выпрямитель S.
RECOVERY
Краткое содержание документа:
NTE116 General Purpose Silicon Rectifier
Description: The NTE116 is a general purpose silicon rectifier in a DO41 case designed for low power and switching applications. Absolute Maximum Ratings: Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NonRepetitive Peak Reverse Voltage (Halfwave, Single Phase, 60Hz), VRSM . . . . . . . . . . . . 720V RMS Reverse Voltage, VR(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V Average Rectified Forward Current. IO (Single Phase, Resistive Load, 60Hz, TA = +75°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Diode Type: Standard Recovery
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
- Forward Current If(AV): 1 А
- Forward Voltage VF Max: 1.1 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 30 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
- Тип корпуса: DO-41
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)