Datasheet 1N4448,113 - NXP Даташит — Даташит

NXP 1N4448,113

Наименование модели: 1N4448,113

Купить 1N4448,113 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.40 до 1.70 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Стандарт СИЗ Россия	1N4448.113 NXP	0.40 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	1N4448.113 NXP	1.00 ₽
Utmel Весь мир	1N4448,113 NXP	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	1N4448,113	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D176
1N4148; 1N4448 High-speed diodes
Product data sheet Supersedes data of 2002 Jan 23 2004 Aug 10

Спецификации:

Diode Type: Switching
Repetitive Reverse Voltage Max Vrrm: 100 В
Forward Current If(AV): 100 мА
Forward Voltage VF Max: 1 В
Reverse Recovery Time trr Max: 4 нс
Forward Surge Current Ifsm Max: 4 А
Тип корпуса: DO-35
Количество выводов: 2

RoHS: есть

Варианты написания:

1N4448113, 1N4448 113