Datasheet NTE112 - NTE Electronics Даташит Шоттки выпрямитель, 30 мА, 5 В, DO-35 — Даташит
Наименование модели: NTE112
![]() 18 предложений от 11 поставщиков Диоды Шоттки, NTE ELECTRONICS NTE112 Small Signal Schottky Diode, Single, 5V, 30mA, 550mV, 60mA, 125℃ | |||
NTE112 NTE Electronics | 131 ₽ | ||
NTE112 | от 458 ₽ | ||
NTE112 | 14 261 ₽ | ||
NTE112 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Шоттки выпрямитель, 30 мА, 5 В, DO-35
Краткое содержание документа:
NTE112 Silicon Small Signal Schottky Diode
Description: The NTE112 is a metal to silicon junction diode in a DO35 type package primarly intended for UHF mixers and ultrafast switching applications.
Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Forward Continuous Current (TA = +25°C, Note 1), IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Surge Non-Repetitive Forward Current (tp 1s, Note 1), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 ° to +150°C Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1), Rth (j- a) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400°C/W Maximum Lead
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 5 В
- Forward Current If(AV): 30 мА
- Forward Voltage VF Max: 0.55 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 60 мА
- Тип корпуса: DO-35
- Количество выводов: 2
Дополнительные аксессуары:
- MULTICORE (SOLDER) - MM02104
- SPC Technology - 3613