Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PMEG2010AEB,115 - NXP Даташит — Даташит

Наименование модели: PMEG2010AEB,115

59 предложений от 21 поставщиков
Диод Шоттки: 20 В, 1 x 1 А Тип корпуса : SOD-523 Тип диода : Шоттки Максимальное обратное напряжение В: 20...
AllElco Electronics
Весь мир
PMEG2010AEB,115
NXP
от 2.80 ₽
PL-1
Россия
Диод Шоттки PMEG2010AEB.115 (1A,20V)
от 12 ₽
Эиком
Россия
PMEG2010AEB,115
Nexperia
от 12 ₽
PMEG2010AEB,115
по запросу
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D319
PMEG2010AEB 20 V, 1 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOD523 package
Product data sheet 2003 Dec 03

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 20 В
  • Forward Current, If(AV): 1 А
  • Forward Voltage Max, VF: 620 мВ
  • Forward Surge Current Max, Ifsm: 6 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Тип корпуса: SOD-523

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • NXP - PMEG2010AEH,115

Варианты написания:

PMEG2010AEB115, PMEG2010AEB 115

На английском языке: Datasheet PMEG2010AEB,115 - NXP

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка