Datasheet PMEG2010AEB,115 - NXP Даташит — Даташит
Наименование модели: PMEG2010AEB,115
![]() 59 предложений от 21 поставщиков Диод Шоттки: 20 В, 1 x 1 А Тип корпуса : SOD-523 Тип диода : Шоттки Максимальное обратное напряжение В: 20... | |||
PMEG2010AEB,115 Nexperia | от 4.84 ₽ | ||
PMEG2010AEB,115 Nexperia | 5.58 ₽ | ||
PMEG2010AEB,115 Nexperia | от 13 ₽ | ||
PMEG2010AEB,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D319
PMEG2010AEB 20 V, 1 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOD523 package
Product data sheet 2003 Dec 03
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 20 В
- Forward Current, If(AV): 1 А
- Forward Voltage Max, VF: 620 мВ
- Forward Surge Current Max, Ifsm: 6 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Тип корпуса: SOD-523
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- NXP - PMEG2010AEH,115
Варианты написания:
PMEG2010AEB115, PMEG2010AEB 115