На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PMEG2010AEB,115 - NXP Даташит — Даташит

Наименование модели: PMEG2010AEB,115

51 предложений от 22 поставщиков
Диод Шоттки: 20 В, 1 x 1 А Тип корпуса : SOD-523 Тип диода : Шоттки Максимальное обратное напряжение В: 20...
PMEG2010AEB,115
NXP
1.68 ₽
Utmel
Весь мир
PMEG2010AEB,115
Nexperia
от 3.04 ₽
PMEG2010AEB,115
Nexperia
от 14 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMEG2010AEB,115
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D319
PMEG2010AEB 20 V, 1 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOD523 package
Product data sheet 2003 Dec 03

Спецификации:

  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 20 В
  • Forward Current, If(AV): 1 А
  • Forward Voltage Max, VF: 620 мВ
  • Forward Surge Current Max, Ifsm: 6 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Тип корпуса: SOD-523

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • NXP - PMEG2010AEH,115

Варианты написания:

PMEG2010AEB115, PMEG2010AEB 115

На английском языке: Datasheet PMEG2010AEB,115 - NXP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России