Datasheet PMEG2010EV - NXP Даташит Диод, Шоттки SOT-666 — Даташит
Наименование модели: PMEG2010EV
![]() 17 предложений от 13 поставщиков , Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA)Schottky barrier diode with an integrated guard ring forstress protection in a SOT666 ultra small... | |||
PMEG2010EV115 NXP | 10 ₽ | ||
PMEG2010EV Nexperia | по запросу | ||
PMEG2010EV,115 NXP | по запросу | ||
PMEG2010EV NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Диод, Шоттки SOT-666
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 20 В
- Forward Current If(AV): 1000 мА
- Forward Voltage VF Max: 550 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 8000 мА
- Тип корпуса: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current If @ Vf: 1000 А
- Forward Voltage: 0.55 В
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть