Datasheet MBD54DWT1G - ON Semiconductor Даташит Диод Шоттки, 200 мА FORWARD — Даташит
Наименование модели: MBD54DWT1G
![]() 28 предложений от 14 поставщиков Диоды - Шоттки Маленьких Сигналов | |||
MBD54DWT1G ON Semiconductor | 47 ₽ | ||
MBD54DWT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
MBD54DWT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
MBD54DWT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Диод Шоттки, 200 мА FORWARD
Краткое содержание документа:
MBD54DWT1
Preferred Device
Dual Schottky Barrier Diodes
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping.
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Features http://onsemi.com
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 30 В
- Forward Current If(AV): 200 мА
- Forward Voltage VF Max: 320 мВ
- Reverse Recovery Time trr Max: 5 нс
- Forward Surge Current Ifsm Max: 600 мА
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Тип корпуса: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Ifsm: 600 мА
- Температура перехода максимальная: 125°C
- Reverse Recovery Time trr Typ: 5 нс
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть