Datasheet S1JL - Taiwan Semiconductor Даташит Диод, SMF GP 1 А 600 В — Даташит

Наименование модели: S1JL
Подробное описание
Производитель: Taiwan Semiconductor
Описание: Диод, SMF GP 1 А 600 В
Краткое содержание документа:
S1AL - S1ML
1.0 AMP.
Surface Mount Rectifiers Sub SMA
Features
For surface mounted application Glass passivated junction chip. Low-Profile Package Ideal for automated placement Low power loss, high efficiency High temperature soldering: 260 o C / 10 seconds at terminals
Mechanical Data
Спецификации:
- Diode Type: Standard Recovery
 - Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
 - Forward Current If(AV): 1 А
 - Forward Voltage VF Max: 1.1 В
 - Reverse Recovery Time trr Max: 1.8 мкс
 - Forward Surge Current Ifsm Max: 30 А
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
 - Тип корпуса: SMF
 - Количество выводов: 2
 - SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
 - Current Ifsm: 30 А
 - Forward Voltage: 1.1 В
 - Температура перехода максимальная: 150°C
 - Температура перехода минимальная: -55°C
 - Тепловое сопротивление переход-корпус: 85 °C/Вт
 - Способ монтажа: SMD
 
RoHS: есть






