Datasheet BAP50-03 - NXP Даташит Диод, PIN, 0.05 А, SOD-323

Наименование модели: BAP50-03 Подробное описаниеПроизводитель: NXP Описание: Диод, PIN, 0.05 А, SOD-323 Скачать Data Sheet
Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BAP50-03 General purpose PIN diode Product specification Supersedes data of 1999 May 10 2004 Feb 11 Philips Semiconductors Спецификации: - SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Cd @ Vr Min: 0.4 пФ
- Diode Type: RF
- Forward Current If(AV): 50 мА
- Forward Voltage VF Max: 1.1 В
- Количество выводов: 2
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Тип корпуса: SOD-323
- Peak Forward Current: 50 мА
- Рассеиваемая мощность максимальная: 500 мВт
- Reverse Voltage Vr Max: 50 В
- Способ монтажа: SMD
- Diode Configuration: Single
- Forward Test Current If: 50 мА
RoHS: есть Варианты написания:BAP5003, BAP50 03 На английском языке: Datasheet BAP50-03 - NXP DIODE, PIN, 0.05 A, SOD-323
Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров. Стандарт СИЗ | NXP | BAP50-03,115 | 1,67 руб. | Allchips | NXP | BAP50-03,115 | 1,74 руб. | ЭФО | NXP | BAP50-03,115 | по запросу | LifeElectronics | | BAP50-03-TP | по запросу | Интерия | | BAP50-03,115 | по запросу | Все 25 предложений от 23 поставщиков » |
Рекомендуемые материалы по теме: - Datasheet DMN5L06K-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 В, 0.3 А, SOT-23
- Datasheet BAP50-03,115 - NXP Даташит ВЧ диод
- 5003 3U
- Datasheet 2SC3661-TB-E - Sanyo Даташит TRANS, NPN, 25 В, 0.3 А, SOT23
- Datasheet PMBT5551 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна. Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта. |
|