Datasheet NTE583 - NTE Electronics Даташит ВЧ диод, Шоттки, 2 пФ, 70 В, DO-35 — Даташит

Купить NTE583 на РадиоЛоцман.Цены — от 126 до 16 651 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков Диод: выпрямительный Шоттки; THT; 70В; 0,015А; DO35; Ufmax: 1В
Utmel Весь мир	NTE583	от 126 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE583 NTE Electronics	175 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE583 NTE Electronics	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE583	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: ВЧ диод, Шоттки, 2 пФ, 70 В, DO-35

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE583 Silicon Rectifier Diode Schottky, RF Switch
Description: The NTE583 is a metal to silicon junction diode featuring high breakdown, low turn­on voltage and ultrafast switching.

This device is primarly intented for high level UHF/VHF detection and pulse application with broad dynamic range. Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, Limiting Values) Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V Forward Continuous Current (Figure 1), IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA Surge Non­Repetitive Forward Current (tp 1s, Figure 1), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­65° to +200°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­65° to +200°C Thermal

Спецификации:

• Reverse Voltage Vr: 70 В
• Прямой ток максимальный: 15 мА
• Forward Voltage VF Max: 1 В
• Capacitance Ct: 2 пФ
• Тип корпуса: DO-35
• Количество выводов: 2
• Diode Type: RF Schottky
• Способ монтажа: Axial Leaded

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• MULTICORE (SOLDER) - MM02104
• SPC Technology - 3613