Datasheet BAS29,215 - NXP Даташит Диод, КВ, 110 В, 0.25 А , SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BAS29,215
![]() 35 предложений от 15 поставщиков Диод слабых сигналов, Одиночный, 110 В, 250 мА, 1.25 В, 50 нс, 10 А | |||
BAS29,215 Nexperia | от 6.39 ₽ | ||
BAS29,215 Nexperia | от 9.45 ₽ | ||
BAS29,215 Nexperia | 49 ₽ | ||
BAS29,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Диод, КВ, 110 В, 0.25 А , SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
BAS29; BAS31; BAS35 General purpose controlled avalanche (double) diodes
Спецификации:
- Diode Type: General Purpose
- Forward Current If(AV): 400 мА
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 110 В
- Forward Voltage VF Max: 1.25 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 50 нс
- Forward Surge Current Ifsm Max: 10 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Тип корпуса: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Ifsm: 10 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Reverse Recovery Time trr Typ: 50 нс
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть
Варианты написания:
BAS29215, BAS29 215