Datasheet BAT18 - NXP Даташит Диод, диапазон частот, SWITCHING — Даташит
Наименование модели: BAT18
![]() 37 предложений от 28 поставщиков Silicon RF Switching Diode (Low-loss VHF/UHF switch above 10 MHz Pin diode with low forward resistance) | |||
BAT18,235 NXP | 8.96 ₽ | ||
BAT18,215 NXP | от 9.99 ₽ | ||
BAT18 NXP | 27 ₽ | ||
BAT18- Siemens | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Диод, диапазон частот, SWITCHING
Краткое содержание документа:
BAT18
Silicon planar diode
Rev.
02 -- 31 August 2004 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Diode Type: Variable Capacitance
- Forward Current If(AV): 100 мА
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 35 В
- Forward Voltage VF Max: 1.2 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +125°C
- Тип корпуса: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Ir Max: 100 нА
- Маркировка: 10*
- External Depth: 1.1 мм
- Внешняя длина / высота: 1.4 мм
- Внешняя ширина: 3 мм
- Peak Forward Current: 100 мА
- Pin Configuration: 1 А, 2NC, 3K
- Reverse Voltage Vr Max: 35 В
- Способ монтажа: SMD
- Vr Ir Measurement Voltage: 20 В
- Capacitance @ VR1: 1 пФ
- Capacitance Cd @ Vr Max: 1 пФ
- Capacitance Cd @ Vr Typ: 0.8 пФ
- Capacitance Ct: 1 пФ
- Resistance Rd Max: 0.7 Ом
- Reverse Voltage Vr1: 35 В
- Vr Cd Measurement Voltage Max: 20 В
RoHS: есть