Datasheet BAV199W,115 - NXP Даташит — Даташит
Наименование модели: BAV199W,115
![]() 57 предложений от 23 поставщиков Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 85 В, 110 мА, 1.25 В, 3 мкс, 4 А | |||
BAV199W,115 Nexperia | от 1.77 ₽ | ||
BAV199W,115 Harwin | 3.46 ₽ | ||
BAV199W,115 Nexperia | 9.00 ₽ | ||
BAV199W,115 Nexperia | от 11 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D102
BAV199W Low-leakage double diode
Спецификации:
- Diode Type: Switching
- Forward Current (AV): 150 мА
- Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 85 В
- Forward Voltage Max, VF: 1.25 В
- Reverse Recovery Time, trr: 3 мкс
- Forward Surge Current Max, Ifsm: 4 А
- Тип корпуса: SOT-323
RoHS: есть
Варианты написания:
BAV199W115, BAV199W 115