Datasheet 1N4150-T/R - Vishay Даташит Диод, малосигнальный, 50 В, DO-35 — Даташит
Наименование модели: 1N4150-T/R
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Диод слабых сигналов, Одиночный, 50 В, 150 мА, 1 В, 4 нс, 4 А | |||
1N4150TR Fairchild | 1.55 ₽ | ||
1N4150-T/R Vishay | от 8.82 ₽ | ||
1N4150/TR Microchip | 93 ₽ | ||
1N4150TR ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Диод, малосигнальный, 50 В, DO-35
Краткое содержание документа:
1N4150
Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diodes
Features
· Silicon Epitaxial Planar Diode · Low forward voltage drop · AEC-Q101 qualified · High forward current capability · Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC · Halogen-free definition according to IEC 61249-2-21
Спецификации:
- Diode Type: Small Signal
- Forward Current If(AV): 150 мА
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 50 В
- Forward Voltage VF Max: 1 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 4 нс
- Forward Surge Current Ifsm Max: 500 мА
- Тип корпуса: DO-35
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Ifsm: 4 А
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Reverse Recovery Time trr Typ: 4 нс
- Способ монтажа: Axial Leaded
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
1N4150T/R, 1N4150 T/R