Datasheet IRFH8318TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH8318TR2PBF
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8Pin QFN EP T/R | |||
IRFH8318TR2PBF International Rectifier | 58 ₽ | ||
IRFH8318TR2PBF Infineon | 59 ₽ | ||
IRFH8318TR2PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFH8318TR2PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 50 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD - 97649A
IRFH8318PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS Vgs max RDS(on) max
(@VGS = 10V) (@VGS = 4.5V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 59 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: QFN
- Количество выводов: 8
RoHS: есть