Datasheet IRFH8337TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 12 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH8337TR2PBF
![]() 16 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IRFH8337TR2PBF Infineon | 25 ₽ | ||
IRFH8337TR2PBF Infineon | 75 ₽ | ||
IRFH8337TR2PBF Infineon | от 311 ₽ | ||
IRFH8337TR2PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 12 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD - 97646A
IRFH8337PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS VGS
max
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0103 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 27 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: QFN
- Количество выводов: 8
RoHS: есть