Datasheet SI4908DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, диод, 40 В, 5 А, 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4908DY-T1-GE3
![]() 8 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI4908DY-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 5A, 40V, 0.048Ω, 10V, 2.2V | |||
SI4908DY-T1-GE3 Vishay | 30 ₽ | ||
SI4908DY-T1-GE3 Vishay | от 434 ₽ | ||
SI4908DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4908DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, диод, 40 В, 5 А, 8-SOIC
Краткое содержание документа:
Si4908DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.060 at VGS = 10 V 0.070 at VGS = 4.5 V ID (A)a 5.0 5.6 4.7 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 0.048 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
- Рассеиваемая мощность: 1.85 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.1 А
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Vishay - SI4840BDY-T1-E3
Варианты написания:
SI4908DYT1GE3, SI4908DY T1 GE3