Datasheet BUK7Y10-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 67 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: BUK7Y10-30B
![]() 12 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET | |||
BUK7Y10-30B.115 Nexperia | 31 ₽ | ||
BUK7Y10-30B,115 NXP | 32 ₽ | ||
BUK7Y10-30B,115 NXP | по запросу | ||
BUK7Y10-30B NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 67 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
BUK7Y10-30B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
03 -- 9 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 67 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0078 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: LFPAK
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK7Y1030B, BUK7Y10 30B