Datasheet BUK7Y102-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: BUK7Y102-100B
![]() 27 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10,6А; Idm: 60А; 60Вт | |||
BUK7Y102-100B,115 NXP | 11 ₽ | ||
BUK7Y102-100B.115 Nexperia | 17 ₽ | ||
BUK7Y102-100B,115 Nexperia | 64 ₽ | ||
BUK7Y102-100B115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
BUK7Y102-100B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
03 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.086 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: LFPAK
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK7Y102100B, BUK7Y102 100B