На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BUK7Y18-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 47.4 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y18-55B

Наименование модели: BUK7Y18-55B

9 предложений от 9 поставщиков
МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y18-55B.115
Nexperia
19 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK7Y18-55B,115
NXP
47 ₽
TradeElectronics
Россия
BUK7Y18-55B
NXP
по запросу
МосЧип
Россия
BUK7Y18-55B,115
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 47.4 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y18-55B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 47.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0127 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 85 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y1855B, BUK7Y18 55B

На английском языке: Datasheet BUK7Y18-55B - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 47.4 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России