Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet BUK9Y104-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.8 А, LFPAK

NXP BUK9Y104-100B

Наименование модели: BUK9Y104-100B

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.8 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y104-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 14.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.086 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
  • Рассеиваемая мощность: 59 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y104100B, BUK9Y104 100B

На английском языке: Datasheet BUK9Y104-100B - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 14.8 A, LFPAK

Цена BUK9Y104-100BBUK9Y104-100B на РадиоЛоцман.Цены — от 14,80 до 18,94 руб.
21 предложений от 12 поставщиков
Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
ЭлитанNXPBUK9Y104-100B14,80 руб.
T-electronBUK9Y104-100B.11515,06 руб.
ЭФОNexperiaBUK9Y104-100B,115по запросу
ДКО ЭлектронщикNexperiaBUK9Y104-100B.115по запросу

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Вебинар Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 13.06.2019
Вебинар Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей 30.05.2019
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru