Datasheet BUK9Y104-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.8 А, LFPAK — Даташит

Купить BUK9Y104-100B на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 473 ₽ 24 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10,48А; Idm: 59А; 59Вт
T-electron Россия и страны СНГ	BUK9Y104-100B.115 Nexperia	22 ₽	Купить
ЭИК Россия	BUK9Y104-100B,115 Nexperia	от 57 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BUK9Y104-100B115 NXP	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	BUK9Y104-100B,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.8 А, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y104-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.086 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
• Рассеиваемая мощность: 59 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: LFPAK
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y104100B, BUK9Y104 100B