Datasheet BUK9Y19-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 48.2 А, LFPAK — Даташит

Купить BUK9Y19-75B на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 168 ₽ 31 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
T-electron Россия и страны СНГ	BUK9Y19-75B.115 Nexperia	42 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK9Y19-75B,115 NXP	71 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK9Y19-75B,115 NXP	75 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK9Y19-75B NXP	96 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 48.2 А, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y19-75B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 13 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 48.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 75 В
• On Resistance Rds(on): 0.0147 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
• Рассеиваемая мощность: 106 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: LFPAK
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y1975B, BUK9Y19 75B