Datasheet BUK9Y58-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 20.73 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: BUK9Y58-75B
![]() 32 предложений от 16 поставщиков On a Reel of 1500, N-Channel MOSFET, 20.7 A, 75 V, 4 + Tab-Pin LFPAK Nexperia BUK9Y58-75B, 115 | |||
BUK9Y58-75B,115 NXP | от 17 ₽ | ||
BUK9Y58-75B NXP | 49 ₽ | ||
BUK9Y58-75B,115 Nexperia | от 56 ₽ | ||
BUK9Y58-75B115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 20.73 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
BUK9Y58-75B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20.73 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On Resistance Rds(on): 0.047 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
- Рассеиваемая мощность: 60.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: LFPAK
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK9Y5875B, BUK9Y58 75B