Datasheet CSD75301W1015 - Texas Instruments Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 1.2 А, 6DSBGA — Даташит

Texas Instruments CSD75301W1015

Наименование модели: CSD75301W1015

Купить CSD75301W1015 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 382 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 1.2 А, 0.08 Ом, DSBGA, Surface Mount
T-electron Россия и страны СНГ	CSD75301W1015 Texas Instruments	34 ₽
ЭИК Россия	CSD75301W1015 Texas Instruments	69 ₽
Онлайн Компоненты Россия	CSD75301W1015 Texas Instruments	от 91 ₽
ChipWorker Весь мир	CSD75301W1015 Texas Instruments	106 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Texas Instruments

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 1.2 А, 6DSBGA

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
CSD75301W1015
www.ti.com SLPS212B AUGUST 2009 REVISED NOVEMBER 2009
P-Channel NexFETTM Power MOSFET
Check for Samples: CSD75301W1015
1

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: -1.2 А
Drain Source Voltage Vds: -20 В
On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
Рассеиваемая мощность: 800 мВт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: DSBGA
Количество выводов: 6
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Continuous Drain Current Id, P Channel: -1.2 А
Drain Source Voltage Vds, P Channel: -20 В
Module Configuration: Dual P Channel
On Resistance Rds(on), P Channel: 0.15 Ом

RoHS: есть