Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet Texas Instruments CSD86311W1723

Datasheet Texas Instruments CSD86311W1723

ПроизводительTexas Instruments
СерияCSD86311W1723
МодельCSD86311W1723

Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 12-DSBGA -55 to 150

Datasheets

  • Скачать » Datasheet, PDF, 869 Кб, 04-05-2010
    Dual N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
    Выписка из документа ↓
    CSD86311W1723
    www.ti.com SLPS251 – MAY 2010 Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET
    Check for Samples: CSD86311W1723 PRODUCT SUMMARY FEATURES 1 Dual N-Ch MOSFETs
    Common Source Configuration
    Small Footprint 1.7 mm Г— 2.3 mm
    Ultra Low Qg and Qgd
    Pb Free
    RoHS Compliant
    Halogen Free VDS Drain to Source Voltage 25 V Qg Gate Charge Total (4.5V) 3.1 nC Qgd Gate Charge Gate to Drain RDS(on) Drain to Source On Resistance VGS(th) nC
    37 mΩ VGS = 4.5V 31 mΩ VGS = 8V 29 mΩ Threshold Voltage 1 V Text Added for Spacing
    ORDERING INFORMATION APPLICATIONS 0.33
    VGS = 2.5V Battery Management
    Battery Protection
    DC-DC Converters Device Package Media Qty Ship CSD86311W1723 1.7-mm Г— 2.3-mm
    Wafer Level
    Package 7-inch reel 3000 Tape and
    Reel Text Added for Spacing
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION
    The device has been designed to deliver the lowest
    on resistance and gate charge in the smallest outline
    possible with thermal characteristics in an ultra low
    profile. Low on resistance and gate charge coupled
    with the small footprint and low profile make the ...

Цены

    Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 1 Вт, 800 мА, 10000 hFE
    Цена CSD86311W1723
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    T-electronTexas InstrumentsCSD86311W172328 руб.
    5 элементDiodesZTX614от 32 руб.
    ЭлитанTexas InstrumentsCSD86311W172348 руб.
    LifeElectronicsTexas InstrumentsCSD86311W1723по запросу
    Электроник ЮниверсTexas InstrumentsCSD86311W1723по запросу
    Все 10 предложений от 8 поставщиков »

Семейство: CSD86311W1723

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяДа

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin12
Package TypeYZG
Industry STD TermDSBGA
JEDEC CodeR-XBGA-N
Package QTY3000
CarrierLARGE T&R
Маркировка86311
Thickness (мм).375
Pitch (мм).5
Max Height (мм).625
Mechanical DataСкачать »

Параметры

ConfigurationDual Common Source
ID, Silicon limited at Tc=25degC4.5 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)4.5 A
КорпусWLP1.7x2.3 мм
QG Typ3.1 nC
QGD Typ0.33 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V31 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V42 mOhms
VDS25 В
VGS10 В
VGSTH Typ1 В

Экологический статус

RoHSСовместим

Классификация производителя

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor

На английском языке: Datasheet Texas Instruments CSD86311W1723

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Астрономический для уличного освещения таймер РЭВ-225
Астрономический таймер для уличного освещения РЭВ-225
Автоматически вычисляется время восхода и заката солнца на основе введенных координат и текущего времени, позволяя управлять освещением без использования внешних датчиков.
Цена: от 1500 руб.
Доставка: Россия
Реле напряжения РН-111
Реле напряжения РН-111
Для отключения однофазной нагрузки 220 В, 50 Гц при недопустимых колебаниях.
Цена: от 990 руб.
Доставка: Россия
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru