Datasheet MUN5111DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363 — Даташит

Купить MUN5111DW1T1G на РадиоЛоцман.Цены — от 1.14 до 946 ₽ 54 предложений от 20 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q100, Двойной PNP, -50 В, -100 мА, 10 кОм, 10 кОм
AllElco Electronics Весь мир	MUN5111DW1T1G ON Semiconductor	от 1.14 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	MUN5111DW1T1G ON Semiconductor	от 2.64 ₽	Купить
DIP8.RU Россия и страны ТС	MUN5111DW1T1G ON Semiconductor	от 5.13 ₽	Купить
Эиком Россия	MUN5111DW1T1G ON Semiconductor	от 8.60 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5111DW1T1G Series
Preferred Devices
Dual Bias Resistor Transistors
PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor.

These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1G series, two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 187 мВт
• DC Collector Current: -100 мА
• DC Current Gain: 60
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

RoHS: есть