Datasheet MUN5230DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 1K/1KOHM, SOT-363 — Даташит

Купить MUN5230DW1T1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.49 до 43 ₽ 28 предложений от 11 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q100, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 1 кОм, 1 кОм
T-electron Россия и страны СНГ	MUN5230DW1T1G ON Semiconductor	2.49 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	MUN5230DW1T1G ON Semiconductor	от 7.52 ₽	Купить
ЭИК Россия	MUN5230DW1T1G ON Semiconductor	от 8.70 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MUN5230DW1T1G	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 1K/1KOHM, SOT-363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5211DW1T1G Series
Preferred Devices
Dual Bias Resistor Transistors
NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor.

These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1G series, two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 187 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 5
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

RoHS: есть