Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet MUN5230DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 1K/1KOHM, SOT-363 — Даташит

ON Semiconductor MUN5230DW1T1G

Наименование модели: MUN5230DW1T1G

39 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые
Зенер
Россия и страны ТС
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
от 2.77 ₽
Maybo
Весь мир
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
27 ₽
727GS
Весь мир
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
14 341 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MUN5230DW1T1G
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 1K/1KOHM, SOT-363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5211DW1T1G Series
Preferred Devices
Dual Bias Resistor Transistors
NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor.

These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1G series, two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 187 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 5
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MUN5230DW1T1G - ON Semiconductor BRT TRANSISTOR, 50 V, 1K/1KOHM, SOT-363

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка