Источники питания Keen Side

Datasheet MUN5313DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 47K/47KOHM, SC88 — Даташит

ON Semiconductor MUN5313DW1T1G

Наименование модели: MUN5313DW1T1G

55 предложений от 19 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 47 кОм, 47 кОм
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
0.84 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
1.97 ₽
ЭИК
Россия
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
от 8.90 ₽
Allelco
Весь мир
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
по запросу
Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: BRT транзистор, 50 В, 47K/47KOHM, SC88

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MUN5311DW1T1G Series Dual Bias Resistor Transistors
Preferred Devices
NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor.

These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1G series, two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN & PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 187 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 140

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MUN5313DW1T1G - ON Semiconductor BRT TRANSISTOR, 50 V, 47K/47KOHM, SC88

Электронные компоненты. Скидки 20%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring