Datasheet CMF10120D - Cree Даташит N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: CMF10120D
![]() 16 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; 134Вт; TO247-3 | |||
CMF10120D Cree | 1 490 ₽ | ||
CMF10120D Cree | 1 714 ₽ | ||
CMF10120D Wolfspeed | 12 370 ₽ | ||
CMF10120D | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Cree
Описание: N CH, SILICON CARBIDE (SiC) мощность полевой транзистор
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 24 А
- Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
- On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Полярность транзистора: N Channel