Datasheet FDMB3800N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 4.8 А, MIRCOFET3X1.9 — Даташит

Купить FDMB3800N на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 121 ₽ 46 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
ChipWorker Весь мир	FDMB3800N Freescale	25 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FDMB3800N ON Semiconductor	27 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	FDMB3800N_0610 Fairchild	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDMB3800N Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 4.8 А, MIRCOFET3X1.9

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
October 2006
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 4.8A, 40m Features General Description
Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8A Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3A Fast switching speed Low gate Charge High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power and current handling capability.

RoHS Compliant

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.032 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: MicroFET3x1.9
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• International Rectifier - AUIRS2112S
• Taiwan Semiconductor - TSM2314CX