Datasheet FDMB3800N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 4.8 А, MIRCOFET3X1.9 — Даташит

Наименование модели: FDMB3800N

Купить FDMB3800N на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 2 665 ₽ 45 предложений от 19 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 4.8 А, 0.032 Ом, MicroFET, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	FDMB3800N ON Semiconductor	от 15 ₽
ChipWorker Весь мир	FDMB3800N Freescale	24 ₽
ТМ Электроникс Россия	FDMB3800N ON Semiconductor	от 111 ₽
Augswan Весь мир	FDMB3800N ON Semiconductor	по запросу

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 4.8 А, MIRCOFET3X1.9

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
October 2006
FDMB3800N Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 4.8A, 40m Features General Description
Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8A Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3A Fast switching speed Low gate Charge High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power and current handling capability.

RoHS Compliant

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 4.8 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.032 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: MicroFET3x1.9
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
International Rectifier - AUIRS2112S
Taiwan Semiconductor - TSM2314CX