Datasheet MJB44H11T4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, NPN, 80 В, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: MJB44H11T4G
![]() 33 предложений от 18 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
MJB44H11T4G ON Semiconductor | 46 ₽ | ||
MJB44H11T4G ON Semiconductor | 84 ₽ | ||
MJB44H11T4G ON Semiconductor | 94 ₽ | ||
MJB44H11T4G Yageo | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Мощность транзистор, NPN, 80 В, D2-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN & PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Transition Frequency Typ ft: 50 МГц
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Количество выводов: 3
RoHS: есть