Datasheet NTE51 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: NTE51
![]() 12 предложений от 8 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-220 NPN 400V 4A | |||
NTE51 NTE Electronics | 331 ₽ | ||
NTE51 | 34 309 ₽ | ||
NTE51 | по запросу | ||
NTE51 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, TO-220
Краткое содержание документа:
NTE51 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
Description: The NTE51 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for highvoltage, high speed power switching inductive circuits where fall time is critical.
This device is particularly suited for 115V and 220V SWITCHMODE applications such as switching regulators, Inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits. Features: D Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = +100°C D 700V Blocking Capability Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V CollectorEmitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V Emitter Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V Collector Current,IC Continuous
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Transition Frequency Typ ft: 4 МГц
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain: 10
RoHS: есть