Datasheet C4D02120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252 — Даташит
Наименование модели: C4D02120E
![]() 34 предложений от 12 поставщиков Диоды Шоттки, WOLFSPEED C4D02120E Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, Z-Rec 1200V Series, Single, 1.2kV, 9A, 11NC, TO-252 | |||
C4D02120E Cree | от 1.73 ₽ | ||
C4D02120E-TR Cree | 140 ₽ | ||
C4D02120E Yageo | от 170 ₽ | ||
C4D02120E Cree | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Cree
Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252
Спецификации:
- Diode Type: SiC Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
- Forward Current If(AV): 5.9 А
- Forward Voltage VF Max: 1.8 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 19 А
RoHS: есть