Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet C4D02120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252 — Даташит

Cree C4D02120E

Наименование модели: C4D02120E

34 предложений от 12 поставщиков
Диоды Шоттки, WOLFSPEED C4D02120E Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, Z-Rec 1200V Series, Single, 1.2kV, 9A, 11NC, TO-252
727GS
Весь мир
C4D02120E
Cree
от 1.73 ₽
AiPCBA
Весь мир
C4D02120E-TR
Cree
140 ₽
C4D02120E
Yageo
от 170 ₽
C4D02120E
Cree
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 5.9 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 19 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D02120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 5.9 A, 1200 V, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка