Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet C4D02120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252 — Даташит

Cree C4D02120E

Наименование модели: C4D02120E

39 предложений от 14 поставщиков
Диоды Шоттки, WOLFSPEED C4D02120E Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, Z-Rec 1200V Series, Single, 1.2kV, 9A, 11NC, TO-252
Элитан
Россия
C4D02120E
Wolfspeed
154 ₽
C4D02120E
Yageo
от 170 ₽
C4D02120E
от 286 ₽
Augswan
Весь мир
C4D02120E-TR
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 5.9 А, 1200 В, TO-252

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 5.9 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 19 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D02120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 5.9 A, 1200 V, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка