Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet C4D05120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 8.2 А, 1200 В, TO-220 — Даташит

Cree C4D05120E

Наименование модели: C4D05120E

50 предложений от 19 поставщиков
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
ChipWorker
Весь мир
C4D05120E-TR
Cree
245 ₽
C4D05120E-TR
Wolfspeed
от 335 ₽
ЧипСити
Россия
C4D05120E
Cree
733 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
C4D05120E
Wolfspeed
по запросу
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 8.2 А, 1200 В, TO-220

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 8.2 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 46 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D05120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 8.2 A, 1200 V, TO-220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка