Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet C4D10120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247 — Даташит

Cree C4D10120E

Наименование модели: C4D10120E

28 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
727GS
Весь мир
C4D10120E
Cree
от 0.96 ₽
Эиком
Россия
C4D10120E
от 1 177 ₽
C4D10120E
от 1 186 ₽
Augswan
Весь мир
C4D10120E
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 18 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 46 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D10120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 18 A, 1200 V, TO-247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка