HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet C4D10120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247 — Даташит

Cree C4D10120E

Наименование модели: C4D10120E

24 предложений от 12 поставщиков
Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; SMD; 1,2кВ; 10А; TO252-2; 170Вт
Akcel
Весь мир
C4D10120E
от 342 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
C4D10120E
Cree
582 ₽
AliExpress
Весь мир
C4D08120A C4D05120A C4D05120E C4D10120D C4D10120E C4D40120D C4D30120D C4D02120A C4D02120E C4D20120D C4D20120A
1 027 ₽
Acme Chip
Весь мир
C4D10120E
Wolfspeed
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Cree

Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247

Спецификации:

  • Diode Type: SiC Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
  • Forward Current If(AV): 18 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 46 А

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet C4D10120E - Cree SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY DIODE, 18 A, 1200 V, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России