Datasheet MJB5742T4G - ON Semiconductor Даташит TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB — Даташит

ON Semiconductor MJB5742T4G

Наименование модели: MJB5742T4G

Купить MJB5742T4G на РадиоЛоцман.Цены — от 138 до 1 207 ₽ 24 предложений от 10 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 2 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron Россия и страны СНГ	MJB5742T4G ON Semiconductor	138 ₽
ЧипСити Россия	MJB5742T4G ON Semiconductor	147 ₽
ЭИК Россия	MJB5742T4G ON Semiconductor	от 318 ₽
Acme Chip Весь мир	MJB5742T4G ON Semiconductor	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJB5742T4G NPN Silicon Power Darlington Transistors
The Darlington transistors are designed for high-voltage power switching in inductive circuits.
Features http://onsemi.com
· These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Applications

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Рассеиваемая мощность: 2 Вт
DC Collector Current: 8 А
DC Current Gain: 200
Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть