Datasheet 2N7002PV - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.35 А, SOT666 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.35 А, SOT666

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N7002PV
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 5 August 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 350 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.75 В
• Рассеиваемая мощность: 500 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-666
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 350 мА
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
• Module Configuration: Dual N Channel
• On Resistance Rds(on), N Channel: 1 Ом

RoHS: есть