Datasheet 2N7002PV - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.35 А, SOT666 — Даташит
Наименование модели: 2N7002PV
![]() 44 предложений от 17 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
2N7002PV,115 Nexperia | от 1.92 ₽ | ||
2N7002PV,115 Cypress | 5.51 ₽ | ||
2N7002PV,115 Nexperia | от 13 ₽ | ||
2N7002PV NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.35 А, SOT666
Краткое содержание документа:
2N7002PV
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 5 August 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 350 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.75 В
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 350 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
- Module Configuration: Dual N Channel
- On Resistance Rds(on), N Channel: 1 Ом
RoHS: есть