LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet BSS84AKS - NXP Даташит Полевой транзистор, PP CH, 50 В, 0.16 А, SOT363 — Даташит

NXP BSS84AKS

Наименование модели: BSS84AKS

45 предложений от 21 поставщиков
Транзистор полевой P-канальный 50В 0.18A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
BSS84AK,215
NXP
0.89 ₽
Akcel
Весь мир
BSS84AK
Nexperia
от 1.35 ₽
AliExpress
Весь мир
патч трубка с полевым эффектом (FET) MOS PMV48XP,215 PMV50UPE,215 PMV65XP,215 BSS84,215 BSS84AK,215 BSS123,215 BSS138P,215
3.86 ₽
ICdarom.ru
Россия
BSS84AK,215
Nexperia
от 4.38 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 50 В, 0.16 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TS SO P6
BSS84AKS
50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 23 May 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -160 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -50 В
  • On Resistance Rds(on): 4.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.6 В
  • Рассеиваемая мощность: 445 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id, P Channel: -160 мА
  • Drain Source Voltage Vds, P Channel: -50 В
  • Module Configuration: Dual P Channel
  • On Resistance Rds(on), P Channel: 4.5 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSS84AKS - NXP MOSFET, PP CH, 50 V, 0.16 A, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России