Datasheet PMDPB65UP - NXP Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118 — Даташит
Наименование модели: PMDPB65UP
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Compliant No SVHC 58 mΩ -700 mV SOT-1118 8 520 mW 150 °C | |||
PMDPB65UP115 NXP | 27 ₽ | ||
PMDPB65UP NXP | по запросу | ||
PMDPB65UP,115 NXP | по запросу | ||
PMDPB65UP,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118
Краткое содержание документа:
PMDPB65UP
20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET
Rev.
2 -- 8 March 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Module Configuration: Dual P Channel
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.058 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 520 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Количество выводов: 8
RoHS: есть