Datasheet PMDPB65UP - NXP Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118 — Даташит
Наименование модели: PMDPB65UP
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, DFN P-CH 20V 3.5A | |||
PMDPB65UP NXP | 16 ₽ | ||
PMDPB65UP NXP | 25 ₽ | ||
PMDPB65UP.115 NXP | 52 ₽ | ||
PMDPB65UP,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 3.5 А, SOT1118
Краткое содержание документа:
PMDPB65UP
20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET
Rev.
2 -- 8 March 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Module Configuration: Dual P Channel
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.058 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 520 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Количество выводов: 8
RoHS: есть