Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet PMGD370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363

NXP PMGD370XN

Наименование модели: PMGD370XN

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD370XN
Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev. 01 -- 27 February 2004
Product data

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual N Channel
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 740 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 410 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMGD370XN - NXP MOSFET, NN CH, 30 V, 0.74 A, SOT363

Цена PMGD370XNPMGD370XN на РадиоЛоцман.Цены — от 0,18 до 5,71 руб.
10 предложений от 5 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCH DL 30V
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
ТриемаNXPPMGD370XN0,18 руб.
ЭИКNXPPMGD370XN,115от 5,71 руб.
ЭлектроПластNXPPMGD370XNпо запросу
КремнийPMGD370XN T/Rпо запросу
Бесснаберный FLYBACK с транзисторами 950 В P7
Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru