Datasheet PMGD370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363 — Даташит

Купить PMGD370XN на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 479 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор N-CH TRENCH DL 30V
AiPCBA Весь мир	PMGD370XN115 NXP	10 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	PMGD370XN NXP	11 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	PMGD370XN,115 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	PMGD370XN NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD370XN
Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 27 February 2004
Product data

Спецификации:

• Module Configuration: Dual N Channel
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 740 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Рассеиваемая мощность: 410 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Electrolube - SMA10SL