Datasheet ZXMS6005DT8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 1.8 А, SM8 — Даташит
Наименование модели: ZXMS6005DT8TA
![]() 23 предложений от 12 поставщиков DIODES INC. ZXMS6005DT8TA Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V | |||
ZXMS6005DT8TA Diodes | от 31 ₽ | ||
ZXMS6005DT8TA Diodes | 54 ₽ | ||
ZXMS6005DT8TA Diodes | 89 ₽ | ||
ZXMS6005DT8TA Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 1.8 А, SM8
Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
ZXMS6005DT8 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFETTM MOSFET
SUMMARY
Continuous drain source voltage 60 V On-state resistance Nominal load current (VIN = 5V) Clamping Energy 200 m 1.8 A 210 mJ
DESCRIPTION
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 1.16 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SM
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Diodes - ZXGD3001E6TA
- Intersil - EL7242CSZ
- Roth Elektronik - RE1310-LF