Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet ZXMS6006DT8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 2.8 А, SM8 — Даташит

Diodes ZXMS6006DT8TA

Наименование модели: ZXMS6006DT8TA

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET x2; IntelliFETTM; полевой; 60В; 2,8А; 1,16Вт
ЧипСити
Россия
ZXMS6006DT8TA
Diodes
59 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZXMS6006DT8TA
Diodes
62 ₽
ЭИК
Россия
ZXMS6006DT8TA
Diodes
от 214 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
ZXMS6006DT8TA
11 288 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, 2.8 А, SM8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
ZXMS6006DT8
60V DUAL N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET ® MOSFET
ADVANCE INFORMATION
Product Summary

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.075 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.16 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SM
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Diodes - ZXGD3001E6TA
  • Intersil - EL7242CSZ
  • Roth Elektronik - RE1310-LF

На английском языке: Datasheet ZXMS6006DT8TA - Diodes MOSFET, NN CH, W ESD, 60 V, 2.8 A, SM8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России