Datasheet 2N7002E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.385 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: 2N7002E
![]() 61 предложений от 31 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 250 мА, 1.6 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
2N7002E,215 NXP | 3.20 ₽ | ||
2N7002E-7-F Diodes | 6.71 ₽ | ||
PHI2N7002E | по запросу | ||
2N7002E-7-F-79 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.385 А, SOT23
Краткое содержание документа:
2N7002E
N-channel TrenchMOS FET
Rev.
03 -- 28 April 2006 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 385 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.78 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть