Datasheet 2N7002F - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.475 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: 2N7002F
![]() 14 предложений от 14 поставщиков POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET | |||
2N7002F,215 Nexperia | 4.00 ₽ | ||
2N7002F NXP | 9.33 ₽ | ||
2N7002-F2-0000HF | по запросу | ||
2N7002F | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.475 А, SOT23
Краткое содержание документа:
2N7002F
N-channel TrenchMOS FET
Rev.
03 -- 28 April 2006 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 475 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.78 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть